Có nhiều phương pháp điều chế màng mỏng silicon vô định hình Tấm năng lượng mặt trời . Chúng bao gồm phún xạ phản ứng, PECVD, LPCVD, v.v. Khí phản ứng là siH4 được pha loãng với H2. Chất nền chủ yếu là các tấm thủy tinh và thép không gỉ, và các màng silicon không phân loại làm từ chúng có thể được sử dụng để thu được các tế bào tiếp giáp đơn và tế bào năng lượng mặt trời song song tương ứng thông qua các quy trình tế bào khác nhau.

Pin mặt trời silicon vô định hình có tiềm năng lớn do hiệu suất chuyển đổi cao, chi phí thấp và trọng lượng nhẹ. Nhưng đồng thời do tính ổn định thấp nên ảnh hưởng trực tiếp đến ứng dụng thực tế. Nếu nó có thể giải quyết thêm vấn đề ổn định và cải thiện tỷ lệ chuyển đổi. Sau đó, pin mặt trời silicon vô định hình chắc chắn là một trong những sản phẩm phát triển chính của pin mặt trời.

Pin mặt trời màng mỏng đa hợp chất Để tìm ra vật liệu thay thế cho pin silicon đơn tinh thể, người ta đã phát triển pin mặt trời bằng vật liệu khác ngoài silicon đa tinh thể và pin mặt trời màng mỏng silicon vô định hình. Chúng chủ yếu bao gồm các hợp chất nhóm III-V gali arsenua, cadmium sulfide, cadmium Telluride và pin màng mỏng đồng indium selenide. Trong số các loại pin được đề cập ở trên, mặc dù hiệu suất của pin màng mỏng đa tinh thể cadmium Telluride và cadmium sulfide cao hơn so với pin mặt trời màng mỏng silicon vô định hình, nhưng giá thành thấp hơn so với pin silicon đơn sản phẩm và rất dễ sử dụng. sản xuất hàng loạt, nhưng vì cadmium có độc tính cao nên sẽ gây ô nhiễm nghiêm trọng cho môi trường, do đó, nó không phải là chất thay thế lý tưởng nhất cho pin mặt trời silicon kết tinh. Hợp chất gali arsenua III-V và pin màng mỏng đồng indi selenua đã nhận được sự quan tâm rộng rãi do hiệu suất chuyển đổi cao của chúng.